MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C

IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA
MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C P1
MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C P1
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Micron Technology Inc. ~ MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C

Número de pieza
MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C
Fabricante
Micron Technology Inc.
Descripción
IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C PDF online browsing
Familia
Memoria
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Número de pieza MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de memoria Volatile
Formato de memoria DRAM
Tecnología SDRAM - Mobile LPDDR4
Tamaño de la memoria 32Gb (512M x 64)
Frecuencia de reloj 1866MHz
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página -
Tiempo de acceso -
interfaz de memoria -
Suministro de voltaje 1.1V
Temperatura de funcionamiento -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaje -
Paquete / caja -
Paquete de dispositivo del proveedor -

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