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| Número de pieza | MT53B128M32D1DS-062 AIT:A |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de memoria | Volatile |
| Formato de memoria | DRAM |
| Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Tamaño de la memoria | 4Gb (128M x 32) |
| Frecuencia de reloj | 1600MHz |
| Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página | - |
| Tiempo de acceso | - |
| interfaz de memoria | - |
| Suministro de voltaje | 1.1V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 200-WFBGA |
| Paquete de dispositivo del proveedor | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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MT53B128M32D1DS-053 AUT:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1866MHZ | - | 12757 | Detalles |
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MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1866MHZ | - | 12503 | Detalles |
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MT53B128M32D1DS-062 AAT:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | - | 4694 | Detalles |
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MT53B128M32D1DS-062 AAT:A TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | - | 6796 | Detalles |
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MT53B128M32D1DS-062 AIT:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | - | 5167 | Detalles |
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MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | - | 7480 | Detalles |
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MT53B128M32D1DS-062 AUT:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | - | 5669 | Detalles |
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MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | - | 5710 | Detalles |
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MT53B128M32D1NP-062 AAT:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | - | 6515 | Detalles |
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MT53B128M32D1NP-062 AAT:A TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | - | 6796 | Detalles |
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MT53B128M32D1NP-062 AIT:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | - | 7170 | Detalles |
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MT53B128M32D1NP-062 AIT:A TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | - | 7480 | Detalles |