DS1258AB-100

IC NVSRAM 2MBIT 100NS 40EDIP
DS1258AB-100 P1
DS1258AB-100 P1
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Maxim Integrated ~ DS1258AB-100

Número de pieza
DS1258AB-100
Fabricante
Maxim Integrated
Descripción
IC NVSRAM 2MBIT 100NS 40EDIP
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
DS1258AB-100.pdf DS1258AB-100 PDF online browsing
Familia
Memoria
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Número de pieza DS1258AB-100
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de memoria Non-Volatile
Formato de memoria NVSRAM
Tecnología NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Tamaño de la memoria 2Mb (128K x 16)
Frecuencia de reloj -
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página 100ns
Tiempo de acceso 100ns
interfaz de memoria Parallel
Suministro de voltaje 4.75 V ~ 5.25 V
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / caja 40-DIP Module (0.610", 15.495mm)
Paquete de dispositivo del proveedor 40-EDIP

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