DS1230AB-200+

IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28EDIP
DS1230AB-200+ P1
DS1230AB-200+ P1
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Maxim Integrated ~ DS1230AB-200+

Número de pieza
DS1230AB-200+
Fabricante
Maxim Integrated
Descripción
IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28EDIP
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Memoria
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Número de pieza DS1230AB-200+
Estado de la pieza Active
Tipo de memoria Non-Volatile
Formato de memoria NVSRAM
Tecnología NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Tamaño de la memoria 256Kb (32K x 8)
Frecuencia de reloj -
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página 200ns
Tiempo de acceso 200ns
interfaz de memoria Parallel
Suministro de voltaje 4.75 V ~ 5.25 V
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / caja 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Paquete de dispositivo del proveedor 28-EDIP

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