Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.
| Número de pieza | IXTT82N25P |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 250V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 82A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 142nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 500W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 41A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-268 |
| Paquete / caja | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTT02N450HV | IXYS | MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO268 | - | 319 | Detalles |
 |
IXTT100N25P | IXYS | MOSFET N-CH 250V 100A TO-268 | - | 0 | Detalles |
 |
IXTT10N100D | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268 | - | 0 | Detalles |
 |
IXTT10N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267 | 0 | Detalles | |
 |
IXTT10P50 | IXYS | MOSFET P-CH 500V 10A TO-268 | 0 | Detalles | |
 |
IXTT10P60 | IXYS | MOSFET P-CH 600V 10A TO-268 | 0 | Detalles | |
 |
IXTT110N10L2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 | 88 | Detalles | |
 |
IXTT110N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 | - | 0 | Detalles |
 |
IXTT11P50 | IXYS | MOSFET P-CH 500V 11A TO-268 | 0 | Detalles | |
 |
IXTT120N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 | - | 0 | Detalles |
 |
IXTT12N140 | IXYS | MOSFET N-CH 1400V 12A TO268 | 0 | Detalles | |
 |
IXTT12N150 | IXYS | MOSFET N-CH 1500V 12A TO-268 | - | 0 | Detalles |