IXTT75N10L2

MOSFET N-CH 100V 75A TO268
IXTT75N10L2 P1
IXTT75N10L2 P2
IXTT75N10L2 P1
IXTT75N10L2 P2
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IXYS ~ IXTT75N10L2

Número de pieza
IXTT75N10L2
Fabricante
IXYS
Descripción
MOSFET N-CH 100V 75A TO268
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IXTT75N10L2.pdf IXTT75N10L2 PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza IXTT75N10L2
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 75A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 215nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 8100pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21 mOhm @ 500mA, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor TO-268
Paquete / caja TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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