Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.
Número de pieza | IXTP34N65X2 |
---|---|
Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 34A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 96 mOhm @ 17A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 540W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Paquete / caja | TO-220-3 |