IXTK120N25

MOSFET N-CH 250V 120A TO-264
IXTK120N25 P1
IXTK120N25 P1
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IXYS ~ IXTK120N25

Número de pieza
IXTK120N25
Fabricante
IXYS
Descripción
MOSFET N-CH 250V 120A TO-264
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza IXTK120N25
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 250V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 120A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 360nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7700pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 730W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 500mA, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-264 (IXTK)
Paquete / caja TO-264-3, TO-264AA

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