IXFH67N10Q

MOSFET N-CH TO-247AD
IXFH67N10Q P1
IXFH67N10Q P1
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IXYS ~ IXFH67N10Q

Número de pieza
IXFH67N10Q
Fabricante
IXYS
Descripción
MOSFET N-CH TO-247AD
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza IXFH67N10Q
Estado de la pieza Last Time Buy
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 67A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4500pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 33.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-247AD (IXFH)
Paquete / caja TO-247-3

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