70T651S10BCI8

IC SRAM 9MBIT 10NS 256CABGA
70T651S10BCI8 P1
70T651S10BCI8 P1
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IDT, Integrated Device Technology Inc ~ 70T651S10BCI8

Número de pieza
70T651S10BCI8
Fabricante
IDT, Integrated Device Technology Inc
Descripción
IC SRAM 9MBIT 10NS 256CABGA
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Memoria
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Número de pieza 70T651S10BCI8
Estado de la pieza Active
Tipo de memoria Volatile
Formato de memoria SRAM
Tecnología SRAM - Dual Port, Asynchronous
Tamaño de la memoria 9Mb (256K x 36)
Frecuencia de reloj -
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página 10ns
Tiempo de acceso 10ns
interfaz de memoria Parallel
Suministro de voltaje 2.4 V ~ 2.6 V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 256-LBGA
Paquete de dispositivo del proveedor 256-CABGA (17x17)

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