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| Número de pieza | SPW35N60C3FKSA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 34.6A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 21.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1.9mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 25V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 313W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO247-3 |
| Paquete / caja | TO-247-3 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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SPW35N60C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 34.6A TO-247 | 302 | Detalles | |
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SPW35N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 34.6A TO-247 | - | 5586 | Detalles |
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SPW35N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 34.1A TO-247 | - | 0 | Detalles |