SPW20N60C3FKSA1

MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247
SPW20N60C3FKSA1 P1
SPW20N60C3FKSA1 P1
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Infineon Technologies ~ SPW20N60C3FKSA1

Número de pieza
SPW20N60C3FKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- SPW20N60C3FKSA1 PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza SPW20N60C3FKSA1
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 20.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 114nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2400pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 208W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO247-3
Paquete / caja TO-247-3

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