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| Número de pieza | SPW16N50C3FKSA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 560V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 16A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 675µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 25V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 160W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO247-3 |
| Paquete / caja | TO-247-3 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SPW16N50C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 16A TO-247 | - | 33 | Detalles |
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SPW16N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 16A TO-247 | - | 15946 | Detalles |