SPU07N60C3BKMA1

MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-251
SPU07N60C3BKMA1 P1
SPU07N60C3BKMA1 P1
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Infineon Technologies ~ SPU07N60C3BKMA1

Número de pieza
SPU07N60C3BKMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-251
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- SPU07N60C3BKMA1 PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza SPU07N60C3BKMA1
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 7.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 350µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 790pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO251-3
Paquete / caja TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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