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| Número de pieza | SPP20N60CFDXKSA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 20.7A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 124nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220 mOhm @ 13.1A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO220-3-1 |
| Paquete / caja | TO-220-3 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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SPP20N60C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220 | - | 0 | Detalles |
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SPP20N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-220 | 449 | Detalles | |
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SPP20N60CFDHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-220AB | - | 0 | Detalles |
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SPP20N60CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220 | - | 0 | Detalles |
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SPP20N60S5 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20A TO-220AB | 0 | Detalles | |
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SPP20N60S5HKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_LEGACY | 0 | Detalles | |
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SPP20N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_LEGACY | 0 | Detalles | |
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SPP20N65C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220 | 0 | Detalles | |
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SPP20N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220-3 | 1128 | Detalles |