SPP10N10L

MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220
SPP10N10L P1
SPP10N10L P1
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Infineon Technologies ~ SPP10N10L

Número de pieza
SPP10N10L
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SPP10N10L.pdf SPP10N10L PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza SPP10N10L
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 10.3A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 21µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 444pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 154 mOhm @ 8.1A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO220-3-1
Paquete / caja TO-220-3

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