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| Número de pieza | SPD06N60C3BTMA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6.2A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 260µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 620pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750 mOhm @ 3.9A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO252-3 |
| Paquete / caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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SPD06N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-252 | 0 | Detalles | |
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SPD06N60C3BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-252 | - | 0 | Detalles |
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SPD06N80C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 6A 3TO252 | 0 | Detalles | |
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SPD06N80C3BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 6A DPAK | - | 0 | Detalles |