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| Número de pieza | SPA16N50C3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 560V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 16A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 675µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 34W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 10A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO220-3 |
| Paquete / caja | TO-220-3 Full Pack |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SPA101M04B | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | CAP ALUM POLY 100UF 20% 4V SMD | 0 | Detalles | |
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SPA101M04R | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | CAP ALUM POLY 100UF 20% 4V SMD | 0 | Detalles | |
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SPA101M0EB | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | CAP ALUM POLY 100UF 20% 2.5V SMD | 0 | Detalles | |
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SPA101M0ER | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | CAP ALUM POLY 100UF 20% 2.5V SMD | 0 | Detalles | |
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SPA10AB | C&K | SWITCH SLIDE DIP SPST 10MA 20V | 1416 | Detalles | |
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SPA10B | C&K | SWITCH SLIDE DIP SPST 10MA 20V | 309 | Detalles | |
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SPA11N60C3IN | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP | - | 17428 | Detalles |
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SPA11N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3 | 125 | Detalles | |
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SPA11N60CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3 | - | 0 | Detalles |
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SPA11N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220 | 495 | Detalles | |
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SPA11N80C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP | - | 17675 | Detalles |
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SPA11N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP | - | 19543 | Detalles |