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| Número de pieza | SIDC23D120H8X1SA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 35A (DC) |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.97V @ 35A |
| Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 27µA @ 1200V |
| Capacitancia @ Vr, F | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | Die |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Sawn on foil |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -40°C ~ 175°C |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SIDC23D120E6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER | - | 0 | Detalles |
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SIDC23D120E6X1SA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER | - | 10335 | Detalles |
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SIDC23D120F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER | - | 0 | Detalles |
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SIDC23D120F6X1SA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER | - | 10332 | Detalles |
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SIDC23D120H6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER | 0 | Detalles | |
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SIDC23D120H6X1SA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER | - | 10332 | Detalles |
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SIDC23D120H8X1SA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER | - | 17151 | Detalles |
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SIDC23D60E6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER | - | 0 | Detalles |
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SIDC23D60E6X1SA4 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER | - | 10329 | Detalles |
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SIDC23D60E6Y | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER | - | 0 | Detalles |
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SIDC23D60E6YX1SA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER | - | 10329 | Detalles |