PTAB182002FCV1R0XTMA1

IC RF FET LDMOS 190W H-37248-4
PTAB182002FCV1R0XTMA1 P1
PTAB182002FCV1R0XTMA1 P1
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Infineon Technologies ~ PTAB182002FCV1R0XTMA1

Número de pieza
PTAB182002FCV1R0XTMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
IC RF FET LDMOS 190W H-37248-4
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- PTAB182002FCV1R0XTMA1 PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - RF
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Número de pieza PTAB182002FCV1R0XTMA1
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor LDMOS
Frecuencia 1.88GHz
Ganancia 15.5dB
Voltaje - Prueba 28V
Valoración actual 10µA
Figura de ruido -
Actual - Prueba 520mA
Salida de potencia 29W
Voltaje - Clasificación 65V
Paquete / caja H-37248-4
Paquete de dispositivo del proveedor H-37248-4

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