IRLS3813PBF

MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
IRLS3813PBF P1
IRLS3813PBF P1
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Infineon Technologies ~ IRLS3813PBF

Número de pieza
IRLS3813PBF
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IRLS3813PBF.pdf IRLS3813PBF PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza IRLS3813PBF
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 160A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 150µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 83nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 8020pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.95 mOhm @ 148A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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