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| Número de pieza | IRL520NSPBF |
|---|---|
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 10A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 3.8W (Ta), 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 6A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D2PAK |
| Paquete / caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IRL510 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | - | 0 | Detalles |
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IRL510A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220 | 0 | Detalles | |
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IRL510L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262 | - | 0 | Detalles |
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IRL510PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | - | 2316 | Detalles |
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IRL510S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | - | 0 | Detalles |
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IRL510SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | - | 0 | Detalles |
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IRL510STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | - | 0 | Detalles |
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IRL510STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | - | 0 | Detalles |
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IRL510STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | - | 0 | Detalles |
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IRL520 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB | - | 0 | Detalles |
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IRL520L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-262 | - | 0 | Detalles |
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IRL520LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-262 | - | 0 | Detalles |