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| Número de pieza | IRFSL4410ZPBF |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 97A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4820pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 230W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 58A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-262 |
| Paquete / caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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IRFSL11N50A | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A TO-262 | - | 0 | Detalles |
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IRFSL11N50APBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A TO-262 | - | 989 | Detalles |
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IRFSL17N20D | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 16A TO-262 | 0 | Detalles | |
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IRFSL17N20DPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 16A TO-262 | 0 | Detalles | |
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IRFSL23N15D | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 23A TO-262 | 0 | Detalles | |
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IRFSL23N15DPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 23A TO-262 | 0 | Detalles | |
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IRFSL23N20D | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 24A TO-262 | 0 | Detalles | |
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IRFSL23N20D102P | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 24A TO-262 | 0 | Detalles | |
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IRFSL3004PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 195A TO262 | 0 | Detalles | |
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IRFSL3006PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 195A TO262 | 1979 | Detalles | |
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IRFSL3107PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 195A TO262 | 0 | Detalles | |
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IRFSL31N20D | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 31A TO-262 | 0 | Detalles |