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| Número de pieza | IRFS59N10DPBF |
|---|---|
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 59A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 114nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2450pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 35.4A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D2PAK |
| Paquete / caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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IRFS52N15DPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK | 0 | Detalles | |
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IRFS52N15DTRLP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK | 0 | Detalles | |
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IRFS52N15DTRRP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK | 0 | Detalles | |
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IRFS540A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 17A TO-220F | 0 | Detalles | |
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IRFS5615PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK | 0 | Detalles | |
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IRFS5615TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK | 0 | Detalles | |
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IRFS5620PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK | 0 | Detalles | |
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IRFS5620TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK | 0 | Detalles | |
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IRFS59N10DPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK | 3569 | Detalles | |
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IRFS59N10DTRLP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK | 0 | Detalles | |
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IRFS59N10DTRRP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK | 0 | Detalles |