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| Número de pieza | IRFS3006PBF |
|---|---|
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 195A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 8970pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 170A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D2PAK |
| Paquete / caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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IRFS11N50A | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK | - | 0 | Detalles |
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IRFS11N50APBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK | - | 340 | Detalles |
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IRFS11N50ATRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK | - | 0 | Detalles |
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IRFS11N50ATRLP | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK | - | 0 | Detalles |
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IRFS11N50ATRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK | - | 0 | Detalles |
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IRFS11N50ATRRP | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK | - | 0 | Detalles |
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IRFS17N20D | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK | 0 | Detalles | |
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IRFS17N20DPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK | 0 | Detalles | |
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IRFS17N20DTRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK | 0 | Detalles | |
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IRFS17N20DTRLP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK | 0 | Detalles | |
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IRFS17N20DTRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK | 0 | Detalles | |
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IRFS17N20DTRRP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK | 0 | Detalles |