IRFR9N20DPBF

MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
IRFR9N20DPBF P1
IRFR9N20DPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRFR9N20DPBF

Número de pieza
IRFR9N20DPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza IRFR9N20DPBF
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 9.4A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 560pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 5.6A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor D-Pak
Paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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