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| Número de pieza | IRFR13N20DPBF |
|---|---|
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 13A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 830pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 235 mOhm @ 8A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D-Pak |
| Paquete / caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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IRFR1010Z | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | 0 | Detalles | |
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IRFR1010ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | 838 | Detalles | |
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IRFR1010ZTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | 0 | Detalles | |
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IRFR1010ZTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | 0 | Detalles | |
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IRFR1010ZTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | 0 | Detalles | |
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IRFR1018EPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 79A DPAK | 589 | Detalles | |
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IRFR1018ETRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 56A DPAK | 4000 | Detalles | |
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IRFR1018ETRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 79A DPAK | 0 | Detalles | |
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IRFR110 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK | - | 0 | Detalles |
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IRFR110PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK | - | 3337 | Detalles |
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IRFR110TR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK | - | 0 | Detalles |
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IRFR110TRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK | - | 0 | Detalles |