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| Número de pieza | IRF9530NSTRRPBF |
|---|---|
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 14A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 3.8W (Ta), 79W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 8.4A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D2PAK |
| Paquete / caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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IRF9510 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 4A TO-220AB | - | 0 | Detalles |
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IRF9510L | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 4A TO-262 | - | 0 | Detalles |
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IRF9510PBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 4A TO-220AB | - | 2684 | Detalles |
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IRF9510S | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK | - | 0 | Detalles |
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IRF9510SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK | - | 845 | Detalles |
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IRF9510STRL | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK | - | 0 | Detalles |
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IRF9510STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK | - | 0 | Detalles |
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IRF9510STRR | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK | - | 0 | Detalles |
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IRF9520 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-220AB | - | 0 | Detalles |
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IRF9520L | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-262 | - | 0 | Detalles |
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IRF9520NL | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-262 | 0 | Detalles | |
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IRF9520NLPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 6.8A TO262-3 | 0 | Detalles |