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| Número de pieza | IRF8313TRPBF |
|---|---|
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9.7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.5 mOhm @ 9.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 15V |
| Potencia - Max | 2W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SO |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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IRF8010PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB | 0 | Detalles | |
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IRF8010SPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | 0 | Detalles | |
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IRF8010STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | 0 | Detalles | |
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IRF8010STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | 0 | Detalles | |
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IRF8113 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | 0 | Detalles | |
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IRF8113GPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO | 0 | Detalles | |
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IRF8113GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | 0 | Detalles | |
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IRF8113PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | 0 | Detalles | |
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IRF8113TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | 0 | Detalles | |
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IRF8113TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | 0 | Detalles | |
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IRF820 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 4A TO-220 | - | 0 | Detalles |
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IRF820A | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB | - | 0 | Detalles |