IRF6612TRPBF

MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
IRF6612TRPBF P1
IRF6612TRPBF P2
IRF6612TRPBF P3
IRF6612TRPBF P1
IRF6612TRPBF P2
IRF6612TRPBF P3
Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.

Infineon Technologies ~ IRF6612TRPBF

Número de pieza
IRF6612TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IRF6612TRPBF.pdf IRF6612TRPBF PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
  • En stock $ Cantidad pcs
  • Precio de referencia : submit a request

Enviar una solicitud de cotización en cantidades mayores que las mostradas.

Parámetro del producto

Todos los productos

Número de pieza IRF6612TRPBF
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 24A (Ta), 136A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3970pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3 mOhm @ 24A, 10V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor DIRECTFET™ MX
Paquete / caja DirectFET™ Isometric MX

Productos relacionados

Todos los productos