IRF5851TR

MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
IRF5851TR P1
IRF5851TR P2
IRF5851TR P1
IRF5851TR P2
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Infineon Technologies ~ IRF5851TR

Número de pieza
IRF5851TR
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IRF5851TR.pdf IRF5851TR PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza IRF5851TR
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N and P-Channel
Característica FET Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2.7A, 2.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 15V
Potencia - Max 960mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete de dispositivo del proveedor 6-TSOP

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