IRF3808STRRPBF

MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
IRF3808STRRPBF P1
IRF3808STRRPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRF3808STRRPBF

Número de pieza
IRF3808STRRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IRF3808STRRPBF.pdf IRF3808STRRPBF PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza IRF3808STRRPBF
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 75V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 106A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 220nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5310pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 mOhm @ 82A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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