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| Número de pieza | IPW50R250CPFKSA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 13A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 7.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 520µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1420pF @ 100V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 114W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO247-3 |
| Paquete / caja | TO-247-3 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IPW50R140CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 23A TO-247 | - | 336 | Detalles |
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IPW50R140CPFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 23A TO-247 | - | 11296 | Detalles |
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IPW50R190CE | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 18.5A TO247 | - | 477 | Detalles |
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IPW50R190CEFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 18.5A TO247 | - | 11842 | Detalles |
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IPW50R199CPFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 17A TO-247 | - | 0 | Detalles |
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IPW50R250CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 13A TO-247 | - | 1668 | Detalles |
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IPW50R250CPFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 13A TO-247 | - | 18817 | Detalles |
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IPW50R280CE | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO247 | - | 422 | Detalles |
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IPW50R280CEFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO247 | - | 12108 | Detalles |
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IPW50R299CPFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3 | - | 0 | Detalles |
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IPW50R350CPFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 10A TO247-3 | - | 0 | Detalles |
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IPW50R399CPFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 9A TO-247 | - | 0 | Detalles |