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Número de pieza | IPU50R2K0CEAKMA1 |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.4A (Tc) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 13V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 50µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 124pF @ 100V |
Vgs (Max) | ±20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 33W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 600mA, 13V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO251 |
Paquete / caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |