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| Número de pieza | IPU103N08N3 G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 80V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 50A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 46µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2410pF @ 40V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.3 mOhm @ 46A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO251-3 |
| Paquete / caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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IPU103N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3 | 0 | Detalles | |
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IPU105N03L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 35A IPAK | 0 | Detalles | |
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IPU10N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 30A IPAK | 0 | Detalles | |
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IPU10N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 30A IPAK | 0 | Detalles |