IPU075N03L G

MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
IPU075N03L G P1
IPU075N03L G P1
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Infineon Technologies ~ IPU075N03L G

Número de pieza
IPU075N03L G
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IPU075N03L G.pdf IPU075N03L G PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza IPU075N03L G
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 50A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5 mOhm @ 30A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO251-3
Paquete / caja TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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