IPS118N10N G

MOSFET N-CH 100V 75A TO251-3
IPS118N10N G P1
IPS118N10N G P1
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Infineon Technologies ~ IPS118N10N G

Número de pieza
IPS118N10N G
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 100V 75A TO251-3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IPS118N10N G.pdf IPS118N10N G PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza IPS118N10N G
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 75A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 83µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4320pF @ 50V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.8 mOhm @ 75A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO251-3
Paquete / caja TO-251-3 Stub Leads, IPak

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