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| Número de pieza | IPP50CN10NGXKSA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 20A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 20µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1090pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 44W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 20A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO-220-3 |
| Paquete / caja | TO-220-3 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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IPP50CN10NGXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 20A TO-220 | 0 | Detalles |