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| Número de pieza | IPP110N20N3GXKSA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 88A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 88A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 87nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7100pF @ 100V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 300W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO220-3 |
| Paquete / caja | TO-220-3 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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IPP110N20N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3 | - | 1040 | Detalles |
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IPP110N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3 | - | 9263 | Detalles |
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IPP110N20NA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3 | - | 876 | Detalles |
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IPP110N20NAAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3 | - | 7721 | Detalles |