IPI60R280C6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262
IPI60R280C6XKSA1 P1
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IPI60R280C6XKSA1 P3
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Infineon Technologies ~ IPI60R280C6XKSA1

Número de pieza
IPI60R280C6XKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- IPI60R280C6XKSA1 PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza IPI60R280C6XKSA1
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 13.8A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 430µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280 mOhm @ 6.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO262-3
Paquete / caja TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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