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| Número de pieza | IPI03N03LA |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 25V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 80A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 100µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7027pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 55A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO262-3 |
| Paquete / caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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IPI020N06NAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 29A TO262-3 | - | 20 | Detalles |
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IPI023NE7N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3 | - | 0 | Detalles |
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IPI024N06N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 | 0 | Detalles | |
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IPI024N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A | 490 | Detalles | |
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IPI028N08N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3 | 0 | Detalles | |
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IPI029N06NAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 24A TO262-3 | - | 494 | Detalles |
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IPI030N10N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 | - | 0 | Detalles |
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IPI030N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A | 0 | Detalles | |
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IPI032N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 | - | 0 | Detalles |
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IPI032N06N3GAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A | - | 380 | Detalles |
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IPI034NE7N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3 | - | 0 | Detalles |
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IPI037N06L3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3 | - | 0 | Detalles |