Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.
| Número de pieza | IPD80N04S306BATMA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de FET | - |
| Tecnología | - |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | - |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | - |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Temperatura de funcionamiento | - |
| Tipo de montaje | - |
| Paquete de dispositivo del proveedor | - |
| Paquete / caja | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD80N04S3-06 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 | - | 0 | Detalles |
 |
IPD80N04S306ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 | - | 0 | Detalles |
|
IPD80N04S306BATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_30/40V | - | 0 | Detalles |
 |
IPD80N06S3-09 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3 | 0 | Detalles |