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| Número de pieza | IPD50R650CEATMA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6.1A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 13V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 342pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 1.8A, 13V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO252-3 |
| Paquete / caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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IPD50R1K4CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252 | 0 | Detalles | |
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IPD50R1K4CEBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252 | - | 0 | Detalles |
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IPD50R280CE | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252 | 0 | Detalles | |
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IPD50R280CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252 | 0 | Detalles | |
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IPD50R280CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 18.1A TO252 | 0 | Detalles | |
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IPD50R280CEBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252 | - | 12100 | Detalles |
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IPD50R2K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 2.4A PG-TO252 | 0 | Detalles | |
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IPD50R2K0CEBTMA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | 0 | Detalles | |
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IPD50R380CE | Infineon Technologies | MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252 | 0 | Detalles | |
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IPD50R380CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252 | 0 | Detalles | |
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IPD50R380CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 500V 14.1A TO252 | 0 | Detalles | |
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IPD50R380CEBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252 | - | 6626 | Detalles |