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| Número de pieza | IPB70N10SL16ATMA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 70A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 2mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 240nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4540pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 50A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO263-3-2 |
| Paquete / caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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IPB70N04S3-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 | - | 0 | Detalles |
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IPB70N04S406ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3-2 | - | 0 | Detalles |
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IPB70N10S312ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 | - | 1000 | Detalles |
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IPB70N10S3L12ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 | - | 0 | Detalles |
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IPB70N10SL16ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 | - | 0 | Detalles |
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IPB70N12S311ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_100+ | 0 | Detalles | |
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IPB70N12S3L12ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_100+ | 0 | Detalles |