IPB09N03LAT

MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
IPB09N03LAT P1
IPB09N03LAT P1
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Infineon Technologies ~ IPB09N03LAT

Número de pieza
IPB09N03LAT
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IPB09N03LAT.pdf IPB09N03LAT PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza IPB09N03LAT
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 50A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1642pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.9 mOhm @ 30A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO263-3-2
Paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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