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| Número de pieza | IPB025N10N3 G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 180A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 275µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 206nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 14800pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 100A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO263-7 |
| Paquete / caja | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IPB020N04N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7 | - | 0 | Detalles |
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IPB020N04NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7 | - | 50392 | Detalles |
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IPB020N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 140A TO263-3 | 0 | Detalles | |
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IPB020N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7 | 2000 | Detalles | |
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IPB020N10N5LFATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V D2PAK-3 | 0 | Detalles | |
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IPB020NE7N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 120A TO263-3 | - | 0 | Detalles |
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IPB020NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 120A TO263-3 | - | 21658 | Detalles |
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IPB021N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 | 0 | Detalles | |
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IPB022N04LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3 | 0 | Detalles | |
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IPB023N04NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3 | 0 | Detalles | |
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IPB023N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7 | 0 | Detalles | |
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IPB024N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V TO263-3 | 0 | Detalles |