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| Número de pieza | IPA057N06N3GXKSA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 60A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7 mOhm @ 60A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 58µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 82nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6600pF @ 30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 38W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO220-3-31 Full Pack |
| Paquete / caja | TO-220-3 Full Pack |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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IPA057N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 60A TO220-3-31 | - | 746 | Detalles |
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IPA057N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 60A TO220-3-31 | - | 29533 | Detalles |
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IPA057N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3 | - | 949 | Detalles |