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| Número de pieza | IGO60R070D1AUMA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 31A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 2.6mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | -10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 400V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 125W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-DSO-20-85 |
| Paquete / caja | 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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IGO60R070D1AUMA1 | Infineon Technologies | IC GAN FET 600V 60A 20DSO | - | 3692 | Detalles |