Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.
Número de pieza | IGLD60R070D1AUMA1 |
---|---|
Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 15A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 2.6mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | -10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 400V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 114W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor | PG-LSON-8-1 |
Paquete / caja | 8-LDFN Exposed Pad |