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| Número de pieza | IDW24G65C5BXKSA2 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 12A (DC) |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.7V @ 12A |
| Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 190µA @ 650V |
| Capacitancia @ Vr, F | 360pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-247-3 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO247-3 |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 175°C |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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IDW24G65C5BXKSA1 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO247-3 | 0 | Detalles | |
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IDW24G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 650V 24A TO247-3 | 0 | Detalles |